[发明专利]新型大功率集成双向晶闸管的设计工艺

权利要求书

1.新型大功率集成双向晶闸管的设计工艺，其特征在于：包括以下步骤：

(1)、单晶硅片电阻率ρ_n的确定及单晶硅片的结构设计； 

(2)、两只反并联晶闸管基区之间的间距确定；

(3)、换向过程中P₁N₁P₂N₂晶闸管基区和P₂N₁P₁N₃晶闸管基区载流子互相扩散的问题；

(4)、薄基区的设计；

(5)、如何改善器件的高温特性和断态电压临界上升率；

(6)、一次扩散的浓度与结深；

(7)、二次扩散的浓度与结深；

(8)、磨角角度θ₁θ₂的计算。

2.根据权利要求1所述的新型大功率集成双向晶闸管的设计工艺，其特征在于：所述的步骤1）的结构设计是大功率双向晶闸管的设计原则是，在保证正向大电流I_T（RMS）和电压V_DRM的前提下，尽量使正向压降（V_TM）低，电流(I_DRM )小， PN型结构低掺杂区(如PN型的N区)足够宽，即W_n>X_m，因此，空间电荷区可以充分扩展，其雪崩击穿电压经验公式为：

V_B=cρ_n^0.75=94ρ_n^0.75。