[发明专利]三极管有效
| 申请号： | 201310456033.2 | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104518011B | 公开（公告）日： | 2018-01-16 |
| 发明（设计）人： | 郑志男 | 申请（专利权）人： | 天钰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311 | 代理人： | 徐丽昕 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种三极管，包括第一类型衬底；一第二类型阱区；一第一类型轻掺杂区域；一第二类型高掺杂区域；一第一类型高掺杂区域；该第一类型高掺杂区域、该第二类型高掺杂区域、该第一类型轻掺杂区域、该第二类型阱区及该第一类型衬底依次层叠设置，该第一类型轻掺区域为该三极管之集电极区域，该第二类型高掺杂区域为该三极管之基极区域，该第一类型高掺杂区域为该三极管之发射极区域，该第二类型阱区与该第二类型高掺杂区域之间形成一导电通道。 | ||
| 搜索关键词： | 三极管 | ||
【主权项】：
一种三极管，包括：第一类型衬底；一第二类型阱区；一第一类型轻掺杂区域；一第二类型高掺杂区域；一第一类型高掺杂区域；该第一类型高掺杂区域、该第二类型高掺杂区域、该第一类型轻掺杂区域、该第二类型阱区及该第一类型衬底依次层叠设置，该第一类型轻掺区域为该三极管之集电极区域，该第二类型高掺杂区域为该三极管之基极区域，该第一类型高掺杂区域为该三极管之发射极区域，该第二类型阱区与该第二类型高掺杂区域之间形成一导电通道。
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