[发明专利]三极管

说明书

技术领域

本发明涉及一种三极管。

背景技术

随着科技之发展，电子产品种类越来越多。而三极管由于其具有电流放大作用，常常作为电子产品中的电流放大器件而被广泛使用。然而，目前三极管在制做的时候容易产生寄生的三极管，比如，在制做一PNP三极管的时候则会生成一寄生PNP三极管及一寄生NPN三极管。该寄生NPN三极管之发射极和集电极之间容易产生漏电流，从而造成对该PNP三极管的损坏。

发明内容

因此，有必要提供一种不容易损坏的三极管。

一种三极管，包括：

第一类型衬底；

一第二类型阱区；

一第一类型轻掺杂区域；

一第二类型高掺杂区域；

一第一类型高掺杂区域；

该第一类型高掺杂区域、该第二类型高掺杂区域、该第一类型轻掺杂区域、该第二类型阱区及该第一类型衬底依次层叠设置，该第一类型轻掺区域为该三极管之集电极区域，该第二类型高掺杂区域为该三极管之基极区域，该第一类型高掺杂区域为该三极管之发射极区域，该第二类型阱区与该第二类型高掺杂区域之间形成一导电通道。

与现有技术相较，本发明三极管中该第二类型阱区与该第二类型高掺杂区域之间形成一导电通道以使第二类型阱区与该第二类型高掺杂区域不会因为掺杂浓度的比例控制不当而造成第二类型阱区与该第二类型高掺杂区域之间击穿之现象，从而避免了该三极管的损坏。

附图说明

下面结合附图及较佳实施方式对本发明作进一步详细描述。

图1为本发明三极管第一实施例之平面结构示意图。

图2为本发明图1中所示三极管沿II-II线第一实施例的剖面结构示意图。

图3为本发明图1中所示三极管沿II-II线第二实施例的剖面结构示意图。

图4为本发明三极管第一实施例之等效电路结构示意图。

图5为本发明三极管第二实施例之平面结构示意图。

图6为本发明图5中所示三极管沿VI-VI线第一实施例的剖面结构示意图。

图7为本发明图5中所示三极管沿VI-VI线第二实施例的剖面结构示意图。

图8为本发明三极管第三实施例之平面结构示意图。

图9为本发明图8中所示三极管沿IX-IX线第一实施例的剖面结构示意图。

图10为本发明图8中所示三极管沿IX-IX线第二实施例的剖面结构示意图。

图11为本发明三极管第三实施例之等效电路结构示意图。

主要元件符号说明