[发明专利]多圈QFN封装引线框架制备方法无效
申请号: | 201310455182.7 | 申请日: | 2013-09-29 |
公开(公告)号: | CN103474358A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 刘文龙 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/50 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人: | 殷红梅 |
地址: | 214000 江苏省无锡市新区太湖国*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种多圈QFN封装引线框架制备方法,属于半导体封装的技术领域。按照本发明提供的技术方案,所述多圈QFN封装引线框架制备方法,所述封装引线框架制备方法包括如下步骤:a、提供基板,并在所述基板的正面上设置形成所需的引脚图形;b、利用基板上引脚图形,在基板上形成所需的多圈外引脚;c、在上述基板上设置所需的封装芯片,并将所述封装芯片通过连接线与基板上的外引脚电连接;d、对上述基板上方的封装芯片进行塑封,得到塑封体,所述塑封体将封装芯片、连接线及外引脚压盖在基板上;e、对上述基板的背面进行刻蚀,以将封装芯片外引脚分离。本发明结构紧凑,工艺简单方便,兼容性好,成本低,加工精度及加工效率高。 | ||
搜索关键词: | qfn 封装 引线 框架 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种多圈QFN封装引线框架制备方法,其特征是,所述封装引线框架制备方法包括如下步骤:(a)、提供基板(1),并在所述基板(1)的正面上设置形成所需的引脚图形(12);(b)、利用基板(1)上引脚图形(12),在基板(1)上生成所需的多圈外引脚(13);(c)、在上述基板(1)上设置所需的封装芯片(8),并将所述封装芯片(8)通过连接线(9)与基板(1)上的外引脚(13)电连接;(d)、对上述基板(1)上方的封装芯片(8)进行塑封,得到塑封体(10),所述塑封体(10)将封装芯片(8)、连接线(9)及外引脚(13)压盖在基板(1)上;(e)、对上述基板(1)的背面进行刻蚀,以将封装芯片(8)的外引脚(13)分离。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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