[发明专利]箝位电路、半导体装置和半导体装置的箝位方法有效
| 申请号： | 201310454234.9 | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103715672B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 高在赫;金佑锡;金汉求;赵相容 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王兆赓;戴嵩玮 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 箝位电路、半导体装置和半导体装置的箝位方法。所述半导体装置包括：第一高压晶体管，具有栅极和第一电极，其中，第一电极连接到第一焊盘并且寄生电容形成在栅极和第一电极之间；箝位电路，连接到第一高压晶体管的栅极，其中，箝位电路检测由于静电放电导致的第一高压晶体管的栅极电压的电平变化，并且根据检测结果将第一高压晶体管的栅极电压箝位。 | ||
| 搜索关键词： | 箝位 电路 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：第一高电压晶体管，具有栅极和第一电极，其中，第一电极连接到第一焊盘，其中，通过第一焊盘施加静电放电ESD；以及箝位电路，连接到第一高电压晶体管的栅极，其中，箝位电路检测由于通过第一焊盘注入到第一高电压晶体管的第一电极的ESD导致的第一高电压晶体管的栅极电压的电平变化，并且根据检测结果对第一高电压晶体管的栅极电压进行箝位，其中，箝位电路通过第一高电压晶体管连接到第一焊盘。
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