[发明专利]积层陶瓷基板的分断方法在审
| 申请号： | 201310454034.3 | 申请日： | 2013-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN103779200A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 武田真和;村上健二;田村健太 | 申请（专利权）人： | 三星钻石工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B28D5/00;H05K3/46 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 日本大阪府*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种积层陶瓷基板的分断方法，本发明是将积层有异种材料的陶瓷基板而成的积层陶瓷基板分断。在包含异种材料的陶瓷基板11、12的积层陶瓷基板10的陶瓷基板11上，沿着分断预定线，借由划线装置而形成第1划线S1。继而在第2陶瓷基板12侧，在与第1划线S1相同的位置上，借由划线装置形成第2划线S2。并且，自陶瓷基板11、12的至少一个面，沿着划线S1、S2进行断裂。若如此则可将积层陶瓷基板10完全分断。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
一种积层陶瓷基板的分断方法，是分断将材料的种类互相不同的第1、第2陶瓷基板积层而成的积层陶瓷基板的方法，其特征在于：在上述第1陶瓷基板上，沿着分断预定线，形成第1划线，在上述第2陶瓷基板上，沿着与上述第1划线对应的线，形成第2划线，沿着上述第1、第2划线，使上述至少一个陶瓷基板断裂，借此沿着划线分断陶瓷基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
