[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 201310439897.3 | 申请日： | 2013-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN104009094A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 崔秀明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 高科 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据一个实施方式，半导体器件包括：第1导电类型的半导体衬底（1）、第2导电类型的第1半导体层（2）、第1导电类型的第2半导体层（3）、第2导电类型的第3半导体层（4）、第1电极（A）和第2电极（C）。第2半导体层（3）从第1半导体层（2）的表面到达半导体衬底（1），包围第1半导体层（2）。第3半导体层（4）在被第2半导体层（3）包围的第1半导体层（2）的表面选择性地设置成从第2半导体层（3）离开。半导体衬底（1）与第3半导体层（4）之间的耐压比第2半导体层（3）与第3半导体层（4）之间的耐压低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：第1导电类型的半导体衬底；设置在上述半导体衬底上的第2导电类型的第1半导体层；从上述第1半导体层的表面到达上述半导体衬底，包围上述第1半导体层的第1导电类型的第2半导体层；从上述第2半导体层离开，被上述第2半导体层包围，具有比上述第1半导体层的第2导电类型杂质浓度高的第2导电类型杂质浓度的第2导电类型的第3半导体层；与上述半导体衬底电气连接的第1电极；以及与上述第3半导体层电气连接的第2电极，且上述半导体衬底与上述第3半导体层之间的耐压比上述第2半导体层与上述第3半导体层之间的耐压低。
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