[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201310439849.4 | 申请日: | 2013-09-25 |
公开(公告)号: | CN103684462A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 増田隆哉 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H03M1/12 | 分类号: | H03M1/12;H03M1/54;H03K19/0175 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 欧阳帆 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及半导体装置。本发明可靠地实现了控制以使得在对参考电压进行AD转换时,参考电压产生电路中的低电压晶体管不被采样保持电路中保持的电压破坏。在半导体装置中,当收到检测参考电压值的指令时,控制内部AD转换器的输入信号的切换的切换控制单元自动地将采样保持电路的输入节点与接地节点暂时地耦接,并且其后,将采样保持电路的输入节点与参考电压产生电路的输出节点耦接。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,包括:采样保持电路;用于对采样保持电路的输出进行AD(模数)转换的AD转换器;用于从外部接收模拟信号的信号端子;用于产生并且输出参考电压的参考电压产生电路;切换单元,用于将采样保持电路的输入节点耦接到信号端子、参考电压产生电路的输出节点以及接地节点中的任意一个;以及切换控制单元,用于根据控制信号来控制切换单元,其中当第一控制信号被激活时,切换控制单元通过切换单元将采样保持电路的输入节点与接地节点暂时地耦接,并且其后将采样保持电路的输入节点与参考电压产生电路的输出节点耦接。
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