[发明专利]多晶硅锭及其制备方法、多晶硅片和多晶硅铸锭用坩埚有效
| 申请号： | 201310438258.5 | 申请日： | 2013-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN103469303A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 钟德京;彭也庆;张学日;胡动力 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了多晶硅锭的制备方法，包括以下步骤：在坩埚内壁设置一层厚度为2μm-1mm的碳层，然后在所述坩埚内设置熔融状态的硅料；控制所述坩埚内的温度沿垂直与所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使所述熔融状态的硅料开始结晶；待全部结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。本发明还提供了通过该制备方法获得的高质量的多晶硅锭，以及利用所述多晶硅锭制备获得的多晶硅片和多晶硅铸锭用坩埚。该制备方法制得的多晶硅锭杂质氧含量低、晶粒较小、均匀、规则、位错密度低。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 及其 制备 方法 硅片 铸锭 坩埚 | ||
【主权项】：
一种多晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括：在坩埚内壁设置一层厚度为2μm‑1mm的碳层，然后在所述坩埚内设置熔融状态的硅料；控制所述坩埚内的温度沿垂直与所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使所述熔融状态的硅料开始结晶；待全部结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。
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