[发明专利]多晶硅锭及其制备方法、多晶硅片和多晶硅铸锭用坩埚

权利要求书

1.一种多晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括：

在坩埚内壁设置一层厚度为2μm-1mm的碳层，然后在所述坩埚内设置熔融状态的硅料；

控制所述坩埚内的温度沿垂直与所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使所述熔融状态的硅料开始结晶；

待全部结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。

2.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，进一步包括，在所述碳层上喷涂制备一层氮化硅层，和/或在设置所述碳层之前，在所述坩埚内壁设置一层氮化硅层，所述氮化硅层的厚度为10μm-1mm。

3.如权利要求1或2所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述碳层为碳粉涂层，采用下述方式制备：将碳粉喷涂或刷涂在所述坩埚内壁或所述坩埚内壁的氮化硅层上，所述碳粉的颗粒粒径为100nm-1mm。

4.如权利要求1或2所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述碳层为高分子化合物烧结碳层，采用下述方式制备：将高分子化合物涂覆在所述坩埚内壁或所述坩埚内壁的氮化硅层上，再在100℃-1200℃下烧结碳化。

5.如权利要求4所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述高分子化合物为聚氨酯、聚丙烯酸酯、醇酸树脂、聚氯乙烯树脂或乙烯-醋酸乙烯共聚物。

6.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述设置熔融状态的硅料为：在所述坩埚内填装固体硅料，对所述坩埚进行加热使得所述硅料熔融。

7.如权利要求1所述的多晶硅锭的制备方法，其特征在于，所述设置熔融状态的硅料为：在另外一个坩埚内加热固体硅料，制得熔融状态的硅料，将所述熔融状态的硅料浇注至所述设置有碳层的坩埚内。

8.多晶硅锭，其特征在于，按照如权利要求1～7中任一权利要求所述的制备方法制得。

9.多晶硅片，其特征在于，所述多晶硅片为以如权利要求8所述的多晶硅锭为原料进行开方-切片-清洗后制得。

10.一种多晶硅铸锭用坩埚，其特征在于，所述坩埚包括本体和碳层，所述本体包括底座及由底座向上延伸的侧壁，所述底座和所述侧壁共同围成一收容空间，所述碳层附着在朝向所述收容空间的本体底座和侧壁表面，所述碳层的厚度为2μm-1mm。