[发明专利]用于形成薄膜太阳能电池材料的装置和方法有效

专利信息
申请号: 201310436507.7 申请日: 2013-09-22
公开(公告)号: CN104282801B 公开(公告)日: 2017-06-13
发明(设计)人: 林光明;刘己维;郭文政 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 代理人: 章社杲,孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开了用于形成薄膜太阳能电池材料的装置和方法,该方法包括将包括硒化氢的第一惰性气体混合物引入至具有第一压力值的室内,直到该室达到第二压力值和第一温度值,其中,第二压力值是第一压力值的预定百分比。将室中的温度增加至第二温度值以用于硒化工艺,从而使室内的压力增加至第三压力值。可从室内去除硒化工艺期间产生的残余气体。将包括硫化氢的第二惰性气体混合物加入至室内,直到室内压力达到第四压力值。将室内的温度增加至第三温度值以用于硫化工艺。在硫化工艺之后对室进行冷却。
搜索关键词: 用于 形成 薄膜 太阳能电池 材料 装置 方法
【主权项】:
一种用于形成薄膜太阳能电池材料的方法,所述方法包括:将包括硒化氢的第一惰性气体混合物引入至具有第一压力值的单一室内,直到所述单一室达到第二压力值并具有第一温度值,其中,所述第二压力值是所述第一压力值的预定百分比;增加所述单一室中的温度至第二温度值以用于硒化工艺,从而使所述单一室中的压力增至第三压力值;在所述第二温度值和所述第三压力值下,在所述单一室中执行所述硒化工艺;去除所述硒化工艺期间产生的残余气体;将包括硫化氢的第二惰性气体混合物加入至所述单一室内直到所述单一室达到第四压力值;增加所述单一室中的温度至第三温度值,以用于在所述第四压力值和所述第三温度值下,在所述单一室中执行硫化工艺;在所述硫化工艺之后冷却所述单一室;以及去除硫化工艺期间产生的残余气体。
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