[发明专利]用于形成薄膜太阳能电池材料的装置和方法

权利要求书

1.一种用于形成薄膜太阳能电池材料的方法，所述方法包括：

将包括硒化氢的第一惰性气体混合物引入至具有第一压力值的单一室内，直到所述单一室达到第二压力值并具有第一温度值，其中，所述第二压力值是所述第一压力值的预定百分比；

增加所述单一室中的温度至第二温度值以用于硒化工艺，从而使所述单一室中的压力增至第三压力值；

在所述第二温度值和所述第三压力值下，在所述单一室中执行所述硒化工艺；

去除所述硒化工艺期间产生的残余气体；

将包括硫化氢的第二惰性气体混合物加入至所述单一室内直到所述单一室达到第四压力值；

增加所述单一室中的温度至第三温度值，以用于在所述第四压力值和所述第三温度值下，在所述单一室中执行硫化工艺；

在所述硫化工艺之后冷却所述单一室；以及

去除硫化工艺期间产生的残余气体。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：当所述单一室中的温度增加至所述第二温度值与当前温度值的差值的一半时，将所述第一惰性气体加入至所述单一室内。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，引入所述第一惰性气体混合物包括：将包括所述硒化氢的所述第一惰性气体混合物引入至具有10^-1托至10^-4托之间的所述第一压力值的所述单一室内，直到所述单一室达到130托至520托之间的所述第二压力值。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，增加所述单一室中的温度至所述第二温度值包括：增加所述单一室中的温度至370℃至450℃之间的所述第二温度值。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，加入所述第二惰性气体混合物包括：将包括所述硫化氢的所述第二惰性气体混合物加入至所述单一室内，直到所述单一室达到200托至600托之间的压力。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，增加所述单一室中的温度至所述第三温度值包括：增加所述单一室中的温度至500℃至650℃之间的温度值。

7.一种用于形成薄膜太阳能电池材料的装置，所述装置包括：

一个后处理室，连接至一个沉积室以从中接收太阳能电池子结构；以及

控制器，连接至所述后处理室，所述控制器被配置为能够通过以下处理在所述后处理室内的所述太阳能电池子结构上形成所述薄膜太阳能电池材料：

将包括硒化氢的第一惰性气体混合物引入至具有第一压力值的所述后处理室内，直到所述后处理室达到第二压力值并具有第一温度值，所述第二压力值是所述第一压力值的预定百分比；

增加所述后处理室中的温度至第二温度值以用于硒化工艺，从而使所述后处理室中的压力增加至第三压力值；

在所述第二温度值和所述第三压力值下，所述硒化工艺在所述后处理室中执行；

去除所述硒化工艺期间产生的残余气体；

将包括硫化氢的第二惰性气体混合物加入至所述后处理室内直到所述后处理室达到第四压力值；

增加所述后处理室中的温度至第三温度值以用于在所述第四压力值和所述第三温度值下，在所述后处理室中执行硫化工艺；和

在所述硫化工艺之后冷却所述后处理室；

所述控制器进一步被配置为去除所述硫化工艺期间产生的残余气体。

8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述控制器进一步被配置为当所述后处理室中的温度增加至所述第二温度值与当前温度值的差值的一半时，将所述第一惰性气体加入到所述后处理室内。

9.根据权利要求7所述的装置，其中，所述第一压力值在10^-1托至10^-4托之间，所述第二压力值在130托至520托之间，其中，所述第一温度值是室温。

10.根据权利要求7所述的装置，其中，所述第二温度值在370℃至450℃之间。

11.根据权利要求7所述的装置，其中，所述第四压力值在200托至600托之间。

12.根据权利要求7所述的装置，其中，所述第三温度值在500℃至650℃之间。