[发明专利]一种小尺寸半导体激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 201310432868.4 | 申请日： | 2013-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN104466676B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 刘欢;沈燕;徐现刚;王英 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/223 | 分类号： | H01S5/223;H01S5/042 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 吕利敏 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种小尺寸半导体激光器，所述半导体激光器的周期尺寸≤150μm。所述半导体激光器是纯条结构或带肩结构。一种上述小尺寸半导体激光器的制备方法，包括步骤如下：在半导体激光器芯片上制备欧姆接触层，经光刻、刻蚀制备周期尺寸≤150μm的管芯图形；对所述制备完欧姆接触层芯片的P面进行保护；对芯片的衬底进行减薄；将半导体激光器芯片清洗后放入蒸发台：蒸镀P面电极，P电极蒸镀完毕后翻架蒸镀N面电极。本发明将图形周期由200μm缩减为150μm，产出约为原来的1.3倍。本发明制备工艺步骤简单，节省生产所用原材料和人工工时；同时减少P面划伤、污染等问题，提升了P面质量。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 尺寸半导体 激光器 蒸镀 半导体激光器芯片 半导体激光器 欧姆接触层 芯片 发明制备工艺 带肩结构 管芯图形 图形周期 制备周期 蒸发台 衬底 放入 光刻 后翻 划伤 减薄 刻蚀 清洗 污染 生产 | ||
【主权项】：
1.一种小尺寸半导体激光器的制备方法，所述小尺寸半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器的周期尺寸≤150μm；所述半导体激光器是纯条结构：所述半导体激光器，包括由下而上依次设置的N面电极、GaAs衬底、N型下限制层、下波导层、有源区、上波导层和带有刻蚀截止层的P型上限制层，在所述刻蚀截止层的上表面设置有脊条状P型上限制层，在所述脊条上设置有欧姆接触层，在所述P型上限制层上设置有露出欧姆接触层的绝缘层，在所述绝缘层和欧姆接触层上设置有P面电极；所述的脊条状P型上限制层的脊条宽度为4‑5μm；所述半导体激光器是带肩结构：在所述脊条状P型上限制层的脊条两侧对称设置有带肩结构；包括步骤如下：(1)在半导体激光器芯片上制备欧姆接触层，经光刻、刻蚀制备周期尺寸≤150μm的管芯图形；(2)对所述制备完欧姆接触层芯片的P面进行保护；(3)对芯片的衬底进行减薄；(4)将半导体激光器芯片清洗后放入蒸发台：蒸镀P面电极，P电极蒸镀完毕后翻架蒸镀N面电极。
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