[发明专利]一种小尺寸半导体激光器及其制备方法

权利要求书

1.一种小尺寸半导体激光器的制备方法，

所述小尺寸半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器的周期尺寸≤150μm；

所述半导体激光器是纯条结构：所述半导体激光器，包括由下而上依次设置的N面电极、GaAs衬底、N型下限制层、下波导层、有源区、上波导层和带有刻蚀截止层的P型上限制层，在所述刻蚀截止层的上表面设置有脊条状P型上限制层，在所述脊条上设置有欧姆接触层，在所述P型上限制层上设置有露出欧姆接触层的绝缘层，在所述绝缘层和欧姆接触层上设置有P面电极；所述的脊条状P型上限制层的脊条宽度为4-5μm；

所述半导体激光器是带肩结构：在所述脊条状P型上限制层的脊条两侧对称设置有带肩结构；

包括步骤如下：

(1)在半导体激光器芯片上制备欧姆接触层，经光刻、刻蚀制备周期尺寸≤150μm的管芯图形；

(2)对所述制备完欧姆接触层芯片的P面进行保护；

(3)对芯片的衬底进行减薄；

(4)将半导体激光器芯片清洗后放入蒸发台：蒸镀P面电极，P电极蒸镀完毕后翻架蒸镀N面电极。

2.如权利要求1所述的小尺寸半导体激光器的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述半导体激光器的周期尺寸为100-150μm。

3.如权利要求2所述的小尺寸半导体激光器的制备方法，其特征在于，所述半导体激光器的周期尺寸为150μm。

4.如权利要求1所述的小尺寸半导体激光器的制备方法，其特征在于，所述半导体激光器是纯条结构，制备方法如下：

(1)在GaAs衬底上依次生长缓冲层、N型下限制层、下波导层、有源区、上波导层、P型上限制层、刻蚀截止层、欧姆接触层；采用光刻技术，用光刻胶在欧姆接触层的表面制备出纯条结构的管芯图形，其图形周期尺寸≤150μm；采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方式，在欧姆接触层向下刻蚀，刻蚀深度到达刻蚀截止层的表面：在所述P型上限制层上刻蚀出脊条；

(2)在脊条区外制备绝缘层；

(3)对芯片的GaAs衬底进行减薄；

(4)将半导体激光器芯片清洗后放入蒸发台：蒸镀P面电极P面电极蒸镀完毕后翻架蒸镀N面电极。

5.如权利要求1所述的小尺寸半导体激光器的制备方法，其特征在于，所述半导体激光器是带肩结构，制备方法如下：

(1)在GaAs衬底上依次生长缓冲层、N型下限制层、下波导层、有源区、上波导层、P型上限制层、刻蚀截止层、欧姆接触层；采用光刻技术，用光刻胶在欧姆接触层的表面制备出带肩结构的管芯图形，其图形周期尺寸≤150μm；采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方式，在欧姆接触层向下刻蚀，刻蚀深度到达刻蚀截止层的表面；

(2)制备脊条区外的绝缘层；

(3)对芯片的GaAs衬底进行减薄；

(4)将半导体激光器芯片清洗后放入蒸发台：蒸镀P面电极，P面电极蒸镀完毕后翻架蒸镀N面电极。