[发明专利]一种静电吸盘及其供气方法有效
| 申请号： | 201310431436.1 | 申请日： | 2013-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN104465451B | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 万磊;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 | 代理人： | 张静洁,包姝晴 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种静电吸盘及其供气方法，位于真空处理室内底部的静电吸盘，其直径等于或大于该静电吸盘固定支持的基片直径；利用位于静电吸盘边缘的气体通道将第二工艺气体输送到基片背面的边缘位置，并利用位于静电吸盘中心的气体通道将氦气或第二工艺气体输送到基片表面的中心位置进行传热冷却，由于第二工艺气体成分与输送到基片表面进行反应处理的第一工艺气体的成分相同或非常接近，能够确保第二工艺气体与第一工艺气体混合后的气体，不会改变处理基片边缘时的反应条件。因而本发明能够应用在尺寸更大的静电吸盘上，以便在基片上获得更好的温度分布效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 静电 吸盘 及其 供气 方法 | ||
【主权项】：
一种静电吸盘，位于真空处理室（1）内的底部，对放置在该静电吸盘（2）上的基片（3）进行固定支持，第一工艺气体（40）导入到真空处理室（1）内对基片（3）表面进行反应处理；其特征在于，所述静电吸盘（2）的顶面直径等于或大于所述基片（3）的直径；所述静电吸盘（2）中开设有若干气体通道，将冷却气体从静电吸盘（2）的底部导入到其顶面，基片（3）背面与静电吸盘（2）顶面之间存在空隙，使得冷却气体流经整个基片（3）的背面进行传热，其中位于静电吸盘（2）边缘的气体通道能够至少向该静电吸盘（2）的边缘，输送包括所述第一工艺气体（40）成分的第二工艺气体作为冷却气体来对基片（3）进行传热冷却。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
