[发明专利]一种高介电复合薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201310426421.6 | 申请日： | 2013-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN103465576A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 杨亚杰;杨文耀;徐建华;蒋亚东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | B32B27/06 | 分类号： | B32B27/06;B32B27/30;B32B27/28;B32B9/04 |
| 代理公司： | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;杨保刚 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高介电复合薄膜及其制备方法，其属于电子薄膜材料领域，该高介电复合薄膜由聚合物和无机纳米粒子交替复合而成，该方法基于LB膜法沉积聚合物和无机纳米粒子复合结构，通过聚合物与无机纳米粒子之间的良好协同效应来获得复合薄膜的高介电性。本发明基于成熟的LB膜技术，克服了现有技术中所存在的缺陷，易于制备大面积、自支撑膜，制备方法合理简单、易于操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高介电 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高介电复合薄膜，其特征在于，包括通过LB膜方法制备的聚合物薄膜层和偶联剂化的无机纳米粒子薄膜层，所述聚合物层和偶联剂化的无机纳米粒子层经LB膜方法垂直交替沉积在一基片上形成聚合物/无机纳米粒子交替复合的薄膜结构。
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