[发明专利]一种BCD工艺中集成结型场效应晶体管的方法

摘要

本发明提供一种BCD工艺中集成结型场效应晶体管的方法，包括1）于P型衬底中定义出沟道区区域，于所述沟道区区域上方制作具有间隔排列的多个窗口的第一掩膜，离子注入以于所述P型衬底中形成具有起伏的N型区域；2）于所述N型区域中制作出场氧化层结构；3）制作覆盖上述结构表面且于所述沟道区区域上方具有间隔排列的多个窗口的第二掩膜，离子注入以于所述N型区域中制作出具有起伏的P型区域；4）制作栅极结构；制作源区和漏区。本发明通过对掩膜的改进设计，获得两侧具有起伏的沟道区，增加了沟道宽度，实现了结型场效应晶体管开启电压的可调。本发明可以采用标准的BCD工艺实现，不需要增加新的掩膜，工艺简单可靠，适用于工业生产。

主权项

一种BCD工艺中集成结型场效应晶体管的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1)提供P型衬底，并于所述P型衬底中定义出沟道区区域，于所述沟道区区域上方制作具有间隔排列的多个窗口的第一掩膜，采用离子注入工艺于所述P型衬底中形成对应所述沟道区区域处具有起伏的N型区域；2)依据所定义的沟道区区域的位置，于所述N型区域中制作出场氧化层结构；3)制作覆盖步骤2)所得到的结构的表面且于所述沟道区区域上方具有间隔排列的多个窗口的第二掩膜，采用离子注入工艺于所述N型区域中制作出对应所述沟道区区域处具有起伏的P型区域；4)于所述P型区域及N型区域表面制作出栅极结构；于所述场氧化层结构两端的N型区域表面制作出源区和漏区。