[发明专利]一种BCD工艺中集成结型场效应晶体管的方法

权利要求书

1.一种BCD工艺中集成结型场效应晶体管的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

1)提供P型衬底，并于所述P型衬底中定义出沟道区区域，于所述沟道区区域上方制作具有间隔排列的多个窗口的第一掩膜，采用离子注入工艺于所述P型衬底中形成对应所述沟道区区域处具有起伏的N型区域；

2)依据所定义的沟道区区域的位置，于所述N型区域中制作出场氧化层结构；

3)制作覆盖步骤2)所得到的结构的表面且于所述沟道区区域上方具有间隔排列的多个窗口的第二掩膜，采用离子注入工艺于所述N型区域中制作出对应所述沟道区区域处具有起伏的P型区域；

4)于所述P型区域及N型区域表面制作出栅极结构；于所述场氧化层结构两端的N型区域表面制作出源区和漏区。

2.根据权利要求1所述的BCD工艺中集成结型场效应晶体管的方法，其特征在于：步骤1)所述第一掩膜中各该窗口的形状为长条矩形，且多个窗口平行排列，所形成的N型区域对应所述沟道区区域处呈波浪起伏。

3.根据权利要求1所述的BCD工艺中集成结型场效应晶体管的方法，其特征在于：步骤3)所述第二掩膜中各该窗口的形状为长条矩形，且多个窗口平行排列，所形成的P型区域对应所述沟道区区域处呈波浪起伏。

4.根据权利要求1所述的BCD工艺中集成结型场效应晶体管的方法，其特征在于：步骤2)所述场氧化层结构包括与所述P型区域一侧相接的第一场氧化层，以及与所述P型区另一侧具有预设距离的第二场氧化层。

5.根据权利要求4所述的BCD工艺中集成结型场效应晶体管的方法，其特征在于：所述第一场氧化层及第二场氧化层的材料为氧化硅，制作工艺为选择氧化工艺或STI工艺。

6.根据权利要求4所述的BCD工艺中集成结型场效应晶体管的方法，其特征在于：步骤4)中，所述栅极结构的制作包括步骤：

a)于所述N型区域、P型区域及场氧化层表面依次形成栅氧层及多晶硅层，采用光刻工艺去除部分的栅氧层及多晶硅层，形成覆盖于部分的P型区域及所述P型区域与所述第二场氧化层之间的N型区域的多晶硅栅；

b)采用离子注入工艺于未被所述多晶硅栅覆盖的P型区域表面形成P型重掺杂区域。

7.根据权利要求1所述的BCD工艺中集成结型场效应晶体管的方法，其特征在于：所述源区及漏区为采用离子注入工艺形成的N型重掺杂区域。