[发明专利]包括耐热缓冲层的光伏器件及其制造方法有效
申请号: | 201310422375.2 | 申请日: | 2013-09-16 |
公开(公告)号: | CN104282780B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 徐伟伦;赵应诚 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0248 | 分类号: | H01L31/0248;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了包括耐热缓冲层的光伏器件及其制造方法,其中,该光伏器件包括衬底、设置在衬底之上的背面接触层、设置在背面接触层之上的包括吸收材料的吸收层、以及设置在吸收层之上的缓冲层。缓冲层包括包含掺锌的吸收材料的第一层以及包含含锌化合物和含镉化合物的第二层。 | ||
搜索关键词: | 包括 耐热 缓冲 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光伏器件,包括:衬底;背面接触层,设置在所述衬底之上;吸收层,设置在所述背面接触层之上并且包括吸收材料;以及缓冲层,设置在所述吸收层之上,其中,所述缓冲层包括包含掺锌的吸收材料的第一层以及包含含锌化合物和含镉化合物的第二层,其中,所述缓冲层的第二层中的所述含锌化合物的形状选自由不规则粒子、管状、立方体和球形粒子组成的组中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的