[发明专利]对电感耦合的等离子体沉积反应器的工艺气管理

摘要

披露了关联于加工半导体衬底的硬件和方法的实施例。一示例性薄膜沉积反应器，包括：工艺气分配器，该工艺气分配器包括：被定位以将等离子气提供给薄膜沉积反应器中的等离子发生区的等离子气馈给进口以及被定位以将薄膜前体气提供给等离子发生区的下游的前体气馈给进口；绝缘的密闭容器，其被配置成在薄膜沉积反应器中将等离子发生区维持在降低的压力下；以及电感耦合的等离子(ICP)线圈，其被设置在绝缘的密闭容器的一部分侧壁周围并被定位成使侧壁将等离子发生区与ICP线圈隔开；以及基座，其被配置成支承半导体衬底以使半导体衬底的薄膜沉积表面暴露于被形成在工艺气分配器下游的反应区。

主权项

一种使用电感耦合的等离子(ICP)加工半导体衬底的薄膜沉积反应器，所述薄膜沉积反应器包括：工艺气分配器，其包括：等离子气馈给进口，所述等离子气馈给进口被定位以将等离子气提供给所述薄膜沉积反应器中的等离子发生区，以及前体气馈给进口，所述前体气馈给进口被定位以将薄膜前体气提供给所述等离子发生区的下游；绝缘的密闭容器，所述绝缘的密闭容器被配置成在所述薄膜沉积反应器中将所述等离子发生区维持在降低的压力下；ICP线圈，所述ICP线圈被设置在所述绝缘的密闭容器的一部分侧壁周围并被定位成使所述侧壁将所述等离子发生区与所述ICP线圈隔开；以及基座，所述基座被配置成支承所述半导体衬底以使所述半导体衬底的薄膜沉积表面暴露于被形成在所述工艺气分配器下游的反应区。