[发明专利]集成MEMS器件的传感器的晶圆级封装结构及封装方法

摘要

本发明公开了一种压力传感器芯片的封装方法及压力传感器，包括步骤：提供一压力传感器芯片，在MEMS器件层上形成保护层，所述保护层暴露所述焊垫；在所述保护层上方形成牺牲层，所述牺牲层暴露所述焊垫的位置；在所述焊垫上方形成第一金属层；在第一金属层和所述牺牲层上形成第二金属层；刻蚀所述第二金属层，形成位于第一金属层上的焊球。本发明中在刻蚀牺牲层以及金属互连层的步骤中，由于有保护层保护了感应部件的凹槽对应的较薄处，这样使得感应部件不受损伤，大大的提高了器件的可靠性，使得压力传感器芯片可以利用BGA封装，从而降低了封装尺寸，使得器件的体积缩小，成本较低，产品得到优化。

主权项

一种集成MEMS器件的传感器晶圆级的封装方法，其特征在于，包括步骤：提供第一基板，其包括衬底，位于衬底上介电质层，在所述衬底中具有CMOS电路层，在所述介电质层中具有MEMS器件层，所述MEMS器件层上具有与MEMS器件电连接的焊垫；提供第二基板，其底面上具有数个接触孔；对所述第二基板的底面进行刻蚀，在所述接触孔之间形成凹槽，所述一个凹槽的容积可以容纳一个传感器所包含的MEMS器件；将第一基板的MEMS器件层所在表面与第二基板的底面进行键合，使得MEMS器件层位于所述凹槽和MEMS器件层表面形成的空腔内，并且所述接触孔的一端与所述焊垫连接；在接触孔的另一端形成焊球。