[发明专利]一种SiC-ZrC分段分布的陶瓷基复合材料喷管的制备方法有效
申请号: | 201310412185.2 | 申请日: | 2013-09-11 |
公开(公告)号: | CN103724040A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 陈照峰;余盛杰 | 申请(专利权)人: | 太仓派欧技术咨询服务有限公司 |
主分类号: | C04B35/83 | 分类号: | C04B35/83;C04B35/565;C04B35/56;C04B35/622 |
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摘要: | 一种SiC-ZrC分段分布的陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于所述的陶瓷基复合材料包括多孔C/C复合材料骨架,SiC涂层和ZrC涂层。先采用CVI法制备多孔C/C预制体,放入无水乙醇中超声波振荡清洗,烘干后放入石墨坩埚中,把Si放在多孔C/C预制体直段与裙部的表面上,并用SiC粉包埋,放入管式炉中升至高温。再把Zr放在多孔C/C预制体裙部,然后放入管式炉中加热至高温。熔体依靠毛细管力浸渗到多孔体中反应获得SiC-ZrC分段分布的陶瓷基复合材料。获得的CMC质量轻,强度高,孔隙率低,抗氧化和抗烧蚀能力强。制备周期短、成本低。 | ||
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【主权项】:
一种SiC‑ZrC分段分布的陶瓷基复合材料喷管的制备方法,其特征在于包括以下顺序的制备步骤:(1)采用平纹编织的碳布叠层制备二维碳纤维预制体;(2)采用CVI在碳纤维预制体上沉积热解C,经高温石墨化处理制成多孔C/C预制体;(3)将多孔C/C预制体放入无水乙醇中超声波振荡清洗2~4次,在鼓风干燥箱中80~120℃烘3~5h,直至质量不变;(4)将烘干好的多孔C/C预制体放入石墨坩埚中;(5)把Si放在多孔C/C预制体直段与裙部的表面上,并用SiC粉包埋,放入管式炉中,管式炉升温速率为8~10℃/min,加热升温到1400~1600℃,保温1~3h后随炉冷却;(6)把Zr放在多孔C/C预制体中间喉部表面上,放入管式炉中,管式炉升温速率为8~10℃/min,加热升温到1900~2100℃,保温0.5~1.5h后随炉冷却;(7)取出复合材料后经表面加工后即得到SiC‑ZrC分段分布的陶瓷基复合材料喷管。
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