[发明专利]太赫兹波频谱检测器有效
| 申请号： | 201310410510.1 | 申请日： | 2013-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN104422517B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 孙建东;秦华;孙云飞;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | G01J3/28 | 分类号： | G01J3/28;H01Q1/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种太赫兹波频谱检测器，以高电子迁移率晶体管为基本结构，高电子迁移率晶体管的沟道处设有天线，以产生太赫兹电场，天线与高电子迁移率晶体管集成设置，且与高电子迁移率晶体管的源极和漏极完全独立，天线包括第一天线和第二天线，第一天线连接于第一栅极，以调节二维电子气浓度；第二天线连接于第二栅极和第三栅极，以形成二维等离子体波谐振腔，第二栅极和第三栅极分别位于所述第一栅极的两侧。在太赫兹波辐照下，能在检测器两端形成开路电压或者短路电流信号，通过扫描栅压得到太赫兹频率。本发明可有效强化栅极对二维等离子体波的调控，实现对太赫兹波的高速、高效、高灵敏度和低噪声的频谱检测，且结构微型化、高度集成化。 | ||
| 搜索关键词： | 赫兹 频谱 检测器 | ||
【主权项】：
一种太赫兹波频谱检测器，以高电子迁移率晶体管为基本结构，其特征在于：所述高电子迁移率晶体管的沟道处设有天线，以产生太赫兹电场，所述天线与高电子迁移率晶体管集成设置，且与高电子迁移率晶体管的源极和漏极完全独立，所述的天线包括第一天线和第二天线，所述的第一天线连接于第一栅极，以调节二维电子气浓度；所述的第二天线连接于第二栅极和第三栅极，以形成二维等离子体波谐振腔，所述的第二栅极和第三栅极分别位于所述第一栅极的两侧。
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