[发明专利]太赫兹波频谱检测器有效
| 申请号： | 201310410510.1 | 申请日： | 2013-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN104422517B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 孙建东;秦华;孙云飞;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | G01J3/28 | 分类号： | G01J3/28;H01Q1/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 赫兹 频谱 检测器 | ||
【权利要求书】：
1.一种太赫兹波频谱检测器，以高电子迁移率晶体管为基本结构，其特征在于：所述高电子迁移率晶体管的沟道处设有天线，以产生太赫兹电场，所述天线与高电子迁移率晶体管集成设置，且与高电子迁移率晶体管的源极和漏极完全独立，所述的天线包括第一天线和第二天线，所述的第一天线连接于第一栅极，以调节二维电子气浓度；所述的第二天线连接于第二栅极和第三栅极，以形成二维等离子体波谐振腔，所述的第二栅极和第三栅极分别位于所述第一栅极的两侧。
2.根据权利要求1所述的太赫兹波频谱检测器，其特征在于：所述的天线通过太赫兹滤波器连接于引线电极。
3.根据权利要求2所述的太赫兹波频谱检测器，其特征在于：所述的太赫兹滤波器为回折的金属纳米线。
4.根据权利要求1所述的太赫兹波频谱检测器，其特征在于：所述高电子迁移率晶体管和天线集成设置于带二维电子气基片的衬底外延片上。
5.根据权利要求1所述的太赫兹波频谱检测器，其特征在于：所述二维电子气基片包括由上到下依次层叠的隔离层、外延层和衬底层，所述高电子迁移率场效应管的源极、漏极和栅极以及天线设置在形成于衬底外延片的有源区上，且该源极和漏极通过设置在衬底层中的二维电子气通道连接。
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