[发明专利]背面边缘隔离法制备多晶硅太阳电池的工艺方法

摘要

本发明公开了一种背面边缘隔离多晶硅太阳电池的工艺方法，主要步骤为清洗制绒-扩散-点胶腐蚀浆料-加热-清洗-PECVD-丝网印刷-烧结，克服了现有技术中PN结隔离工艺的步骤繁琐，设备复杂，生产成本高，污染严重等缺点。本发明是通过去除背面边缘N型层达到PN结隔离的效果，完全避免了常规工艺中可能对硅片正面造成影响的各类因素，提高了硅片的品质，降低了生产成本，减少了化学品和气体的用量及排放量。

主权项

一种背面边缘隔离法制备多晶体硅太阳电池的工艺方法，其特征在于，所述工艺方法包括如下步骤：（a）清洗制绒：将多晶硅片置于硝酸或铬酸和氢氟酸的混合溶液中，去除损伤层，形成绒面结构；（b）扩散制备PN结：将硅片置于三氯氧磷气氛中进行扩散，形成PN结；（c）腐蚀浆料：通过点胶法将腐蚀浆料均匀覆盖于硅片背面的边缘；（d）加热：将背面边缘覆盖有腐蚀浆料的硅片进行加热，反应后去除背面边缘的PN结；（e）清洗：洗去所述腐蚀浆料残余，去除正面磷硅玻璃；（f）采用PECVD技术在正面沉积氮化硅薄膜；（g）采用丝网印刷然后共烧形成合金的方式，在正面形成银电极，背面形成铝背场。