[发明专利]背面边缘隔离法制备多晶硅太阳电池的工艺方法

权利要求书

1.一种背面边缘隔离法制备多晶体硅太阳电池的工艺方法，其特征在于，所述工艺方法包括如下步骤：

（a）清洗制绒：将多晶硅片置于硝酸或铬酸和氢氟酸的混合溶液中，去除损伤层，形成绒面结构；

（b）扩散制备PN结：将硅片置于三氯氧磷气氛中进行扩散，形成PN结；

（c）腐蚀浆料：通过点胶法将腐蚀浆料均匀覆盖于硅片背面的边缘；

（d）加热：将背面边缘覆盖有腐蚀浆料的硅片进行加热，反应后去除背面边缘的PN结；

（e）清洗：洗去所述腐蚀浆料残余，去除正面磷硅玻璃；

（f）采用PECVD技术在正面沉积氮化硅薄膜；

（g）采用丝网印刷然后共烧形成合金的方式，在正面形成银电极，背面形成铝背场。

2.如权利要求1所述的背面边缘隔离法制备多晶硅太阳电池的工艺方法，其特征在于，所述步骤（a）中硝酸或铬酸和氢氟酸的体积比在1:2-5:1之间，反应时间在50-250s之间。

3.如权利要求2所述的背面边缘隔离法制备多晶硅太阳电池的工艺方法，其特征在于，所述步骤（b）中，扩散温度在700-900℃之间，携带三氯氧磷的氮气流量在500-2500ml/min之间，通气时间在10-30min之间。

4.如权利要求3所述的背面边缘隔离法制备多晶硅太阳电池的工艺方法，其特征在于，经过所述步骤（b）扩散后的硅片方块电阻在60-100Ω/□。

5.如权利要求4所述的背面边缘隔离法制备多晶硅太阳电池的工艺方法，其特征在于，步骤（c）中，所述腐蚀浆料的覆盖宽度为0.2-2mm，高度为0.2-2mm，浆料距硅片边缘的距离小于0.5mm。

6.如权利要求5所述的背面边缘隔离法制备多晶硅太阳电池的工艺方法，其特征在于，所述腐蚀浆料含有氢氧化钠或氢氧化钾，所述氢氧化钠或氢氧化钾的质量百分浓度为5%-20%。

7.如权利要求1所述的背面边缘隔离法制备多晶硅太阳电池的工艺方法，其特征在于，步骤（d）中，加热温度设置为150℃-300℃之间。

8.如权利要求7所述的背面边缘隔离法制备多晶硅太阳电池的工艺方法，其特征在于，在所述步骤（e）中，先将硅片浸泡在去离子水中1-5min，再喷淋去离子水洗去所述腐蚀浆料残余。

9.如权利要求8所述的背面边缘隔离法制备多晶硅太阳电池的工艺方法，其特征在于，在所述步骤（e）中，采用氢氟酸水溶液去除磷硅玻璃，所述氢氟酸的质量百分浓度为5%-20%，去除磷硅玻璃的时长为2-10min。

10.如权利要求9所述的背面边缘隔离法制备多晶硅太阳电池的工艺方法，其特征在于，所述步骤（f）中，沉积温度设置为400-500℃，氮化硅薄膜厚度为80-90nm。