[发明专利]新型多晶硅还原炉喷嘴有效
| 申请号： | 201310393615.0 | 申请日： | 2013-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN103466627A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 吴海龙;茅陆荣;沈刚;缪锦泉 | 申请（专利权）人： | 上海森松压力容器有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 上海百一领御专利代理事务所(普通合伙) 31243 | 代理人： | 马育麟 |
| 地址： | 200137 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明是一种新型多晶硅还原炉喷嘴，主要通过在还原炉底盘进气口设置该喷嘴来调节炉内气体分布，能满足硅芯底部到横梁的进气需求，保持炉内气体分布均匀，在加快沉积速度的同时生成优质的多晶硅。该新型多晶硅还原炉喷嘴主要由喷嘴芯体、底盘、分布罩组成。所述喷嘴芯体通过焊接或螺纹安装在底盘的进气口上，所述分布罩安装在喷嘴芯体外侧上端。该喷嘴能实现对还原炉内进料气体的均匀分布，以及有效控制气体停留时间与流速，提高多晶硅的生长质量和生长速度。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 多晶 还原 喷嘴 | ||
【主权项】：
一种新型多晶硅还原炉喷嘴，包括喷嘴芯体（1）、底盘（2）和分布罩（3），其特征在于：所述喷嘴芯体（1）通过焊接或螺纹安装在底盘（2）的进气口上，所述喷嘴芯体（1）中心设有进气腔（1‑1），所述分布罩（3）通过螺纹或焊接安装在喷嘴芯体（1）外侧上端，所述分布罩（3）中心开有1个主喷气孔（3‑2）。
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