[发明专利]新型多晶硅还原炉喷嘴有效

专利信息
申请号: 201310393615.0 申请日: 2013-09-02
公开(公告)号: CN103466627A 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 吴海龙;茅陆荣;沈刚;缪锦泉 申请(专利权)人: 上海森松压力容器有限公司
主分类号: C01B33/035 分类号: C01B33/035
代理公司: 上海百一领御专利代理事务所(普通合伙) 31243 代理人: 马育麟
地址: 200137 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 新型 多晶 还原 喷嘴
【权利要求书】:

1.一种新型多晶硅还原炉喷嘴,包括喷嘴芯体(1)、底盘(2)和分布罩(3),其特征在于:所述喷嘴芯体(1)通过焊接或螺纹安装在底盘(2)的进气口上,所述喷嘴芯体(1)中心设有进气腔(1-1),所述分布罩(3)通过螺纹或焊接安装在喷嘴芯体(1)外侧上端,所述分布罩(3)中心开有1个主喷气孔(3-2)。

2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉喷嘴,其特征在于:所述分布罩(3)与所述喷嘴芯体形成分布气腔(3-4)。

3.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉喷嘴,其特征在于:所述进气腔(1-1)由圆柱面、圆锥面、多边形柱面、弧形面中的任意一种或多种围绕而成,并形成直通口通道、缩径口通道或扩散口通道。

4.根据权利要求2所述的多晶硅还原炉喷嘴,其特征在于:所述喷嘴芯体(1)侧壁均匀开有数个侧孔(1-2),所述侧孔(1-2)分别与所述进气腔(1-1)和分布气腔(3-4)连通。

5.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉喷嘴,其特征在于:所述喷嘴芯体(1)下端设有定位与安装用的六角螺母环(1-3)。

6.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉喷嘴,其特征在于:所述主喷气孔(3-2)的内表面由圆柱面、圆锥面、多边形柱面、弧形面中的任意一种或多种围绕而成,并形成直通孔、缩径孔或扩散孔。

7.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉喷嘴,其特征在于:所述分布罩(3)上还开有1圈或1圈以上与分布气腔3-4连通的导流孔(3-1)。

8.据权利要求8所述的多晶硅还原炉喷嘴,其特征在于:所述每圈导流孔(3-1)数量在3个或3个以上,且均匀分布。

9.根据权利要求8所述的多晶硅还原炉喷嘴,其特征在于:所述导流孔(3-1)可以与喷嘴中轴线平行或与中轴线成一定角度。

10.根据权利要求8所述的多晶硅还原炉喷嘴,其特征在于:所述导流孔(3-1)可以是圆孔、锥孔或弧形孔。

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