[发明专利]Ⅲ族化合物衬底的掩膜层制备方法有效
| 申请号： | 201310392230.2 | 申请日： | 2013-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN104425224B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 张君 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,张天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供的Ⅲ族化合物衬底的掩膜层制备方法，其包括以下步骤光刻胶沉积步骤，在镓化合物外延层表面沉积光刻胶；光刻胶曝光步骤，对光刻胶进行曝光；光刻胶显影步骤，对已曝光的光刻胶进行显影；掩膜蒸镀步骤，在光刻胶表面上以及未被光刻胶覆盖的镓化合物外延层表面上蒸镀至少一层隔离层，之后在隔离层表面上再蒸镀至少一层金属层；隔离层采用可防止金属层的金属材料扩散至镓化合物外延层的材料；金属层采用可提高掩膜层与镓化合物外延层的刻蚀选择比的材料；光刻胶剥离步骤，剥离光刻胶及其上的隔离层和金属层。上述Ⅲ族化合物衬底的掩膜层制备方法，在保证不损伤镓化合物外延层表面的前提下提高掩膜层与镓化合物外延层的刻蚀选择比。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 衬底 掩膜层 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Ⅲ族化合物衬底的掩膜层制备方法，其特征在于，包括下步骤：光刻胶沉积步骤，在镓化合物外延层表面沉积光刻胶；光刻胶曝光步骤，对光刻胶进行曝光；光刻胶显影步骤，对已曝光的光刻胶进行显影，以形成图形；掩膜蒸镀步骤，在光刻胶表面上以及未被所述光刻胶覆盖的镓化合物外延层表面上蒸镀至少一层隔离层，之后在所述隔离层表面上再蒸镀至少一层金属层；其中，所述隔离层采用可防止所述金属层的金属材料扩散至所述镓化合物外延层以及防止等离子体在所述镓化合物外延层上形成负偏压的材料制作；所述金属层采用可提高掩膜层与镓化合物外延层的刻蚀选择比的材料制作；光刻胶剥离步骤，剥离光刻胶及其上的隔离层和金属层，只保留蒸镀在镓化合物外延层表面上的隔离层和金属层作为掩膜层。
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