[发明专利]存储器装置有效

专利信息
申请号: 201310388816.1 申请日: 2013-08-30
公开(公告)号: CN104064565B 公开(公告)日: 2017-06-20
发明(设计)人: 斋藤真澄;石川贵之;藤井章辅;西原清仁 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L27/24 分类号: H01L27/24;H01L45/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所11247 代理人: 贺月娇,杨晓光
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及存储器装置。根据一个实施例的存储器装置包括衬底;被层叠在所述衬底上的两个或更多个电阻变化型存储器基元;被层叠在所述衬底上的两个或更多个晶体管;以及被层叠在所述衬底上的两个或更多个布线。所述存储器基元之一和所述晶体管之一经由所述布线之一而彼此连接。
搜索关键词: 存储器 装置
【主权项】:
一种存储器装置,包括:字线布线层,其包括在第一方向上延伸的多条字线,其中形成有分割部;位线布线层,其包括在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的多条位线,其中形成有分割部;存储器基元,其被连接在每一条所述字线与每一条所述位线之间;第一半导体层,其被设置为跨过每一条所述字线的分割部;第一栅极,其被设置在所述第一半导体层上;第一绝缘层,其被设置在所述第一半导体层和所述第一栅极之间;第二半导体层,其被设置为跨过每一条所述位线的分割部;第二栅极,其被设置在从所述第二半导体层看时所述第二半导体层上;以及第二绝缘层,其被设置在所述第二半导体层和所述第二栅极之间,所述字线布线层和所述位线布线层被交替层叠。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310388816.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top