[发明专利]存储器装置有效
申请号: | 201310388816.1 | 申请日: | 2013-08-30 |
公开(公告)号: | CN104064565B | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 斋藤真澄;石川贵之;藤井章辅;西原清仁 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L45/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人: | 贺月娇,杨晓光 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及存储器装置。根据一个实施例的存储器装置包括衬底;被层叠在所述衬底上的两个或更多个电阻变化型存储器基元;被层叠在所述衬底上的两个或更多个晶体管;以及被层叠在所述衬底上的两个或更多个布线。所述存储器基元之一和所述晶体管之一经由所述布线之一而彼此连接。 | ||
搜索关键词: | 存储器 装置 | ||
【主权项】:
一种存储器装置,包括:字线布线层,其包括在第一方向上延伸的多条字线,其中形成有分割部;位线布线层,其包括在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的多条位线,其中形成有分割部;存储器基元,其被连接在每一条所述字线与每一条所述位线之间;第一半导体层,其被设置为跨过每一条所述字线的分割部;第一栅极,其被设置在所述第一半导体层上;第一绝缘层,其被设置在所述第一半导体层和所述第一栅极之间;第二半导体层,其被设置为跨过每一条所述位线的分割部;第二栅极,其被设置在从所述第二半导体层看时所述第二半导体层上;以及第二绝缘层,其被设置在所述第二半导体层和所述第二栅极之间,所述字线布线层和所述位线布线层被交替层叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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