[发明专利]LED外延片、其制作方法及包括其的LED芯片有效
| 申请号： | 201310388491.7 | 申请日： | 2013-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN103441195A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 张宇 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED外延片、其制作方法及包括其的LED芯片。该LED外延片包括：由衬底表面向外依次设置的GaN缓冲层、第一U型GaN层、第一N型GaN层、量子阱层以及第一P型GaN层；还包括设置在第一P型GaN层上的隧道结层。该LED外延片的制作方法包括以下步骤：在衬底表面向外依次形成GaN缓冲层、第一U型GaN层、第一N型GaN层、量子阱层和第一P型GaN层；在第一P型GaN层上形成隧道结层。采用本发明提供的LED外延片的制作方法所得到LED的驱动电压得到降低，亮度和光效得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | led 外延 制作方法 包括 芯片 | ||
【主权项】：
一种LED外延片，包括由衬底（201）表面向外依次设置的GaN缓冲层（202）、第一U型GaN层（203）、第一N型GaN层（204）、量子阱层（205）以及第一P型GaN层（206），其特征在于，还包括设置在所述第一P型GaN层（206）上的隧道结层（207）。
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