[发明专利]低损耗低介电常数的微波介质陶瓷及其制备方法有效
| 申请号： | 201310384657.8 | 申请日： | 2013-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103467098A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 张为军;刘卓峰;陈兴宇;白书欣;堵永国 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | C04B35/50 | 分类号： | C04B35/50;C04B35/622 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所 43008 | 代理人： | 赵洪 |
| 地址： | 410073 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低损耗低介电常数的微波介质陶瓷及其制备方法，该微波介质陶瓷的化学式为LaBO3，介电常数为10～13，品质因数Qf0为70000GHz～78000GHz，谐振频率温度系数为-48ppm/℃～-57ppm/℃。制备方法包括以下步骤：（1）将La2O3与B2O3或者La2O3与H3BO3混合后经球磨、固液分离和干燥得复合粉体，复合粉体经预烧、球磨、烘干和过筛，得到LaBO3粉体；（2）对LaBO3粉体造粒得陶瓷粉末团聚体，压制成坯体后经排胶和烧结，得到低损耗低介电常数的微波介质陶瓷。本发明的微波介质陶瓷具有低介电常数、低介电损耗、且可中温烧结，制备方法工艺简单、成本低廉、且对环境友好。 | ||
| 搜索关键词： | 损耗 介电常数 微波 介质 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低损耗低介电常数的微波介质陶瓷，其特征在于，所述微波介质陶瓷的化学式为LaBO3，所述微波介质陶瓷的介电常数为10～13，品质因数Qf0为70000GHz～78000GHz，谐振频率温度系数为‑48ppm/℃～‑57ppm/℃。
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