[发明专利]低损耗低介电常数的微波介质陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种低损耗低介电常数的微波介质陶瓷，其特征在于，所述微波介质陶瓷的化学式为LaBO₃，所述微波介质陶瓷的介电常数为10～13，品质因数Qf₀为70000GHz～78000GHz，谐振频率温度系数为-48ppm/℃～-57ppm/℃。

2.一种低损耗低介电常数的微波介质陶瓷的制备方法，包括以下步骤：

（1）将La₂O₃与B₂O₃或者La₂O₃与H₃BO₃按照LaBO₃的化学计量比进行混合，所得混合物经球磨、固液分离和干燥得到复合粉体，将复合粉体升温至700℃～1000℃预烧2h～8h，得到陶瓷粉体，对陶瓷粉体进行球磨、烘干和过筛，得到LaBO₃粉体；

（2）对LaBO₃粉体进行造粒，得到陶瓷粉末团聚体，将陶瓷粉末团聚体压制成坯体，然后将坯体在400℃～500℃下进行排胶，排胶后升温至1275℃～1325℃下烧结4h～6h，得到低损耗低介电常数的微波介质陶瓷。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述球磨为行星球磨，球磨时间为2h～8h，球磨介质为氧化锆球和去离子水、或者氧化锆球和异丙醇。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述过筛为过100目筛。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述造粒过程中所用粘接剂为聚乙烯醇溶液。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述坯体的形状为圆柱形，坯体的直径为6mm～20mm，厚度为3mm～10mm，坯体的成型压力为60MPa～160MPa。

7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述La₂O₃、B₂O₃和H₃BO₃的纯度均大于99.9%。