[发明专利]电容式压力传感器及其形成方法有效
| 申请号： | 201310383322.4 | 申请日： | 2013-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN104422550B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 何其暘 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/14 | 分类号： | G01L1/14;G01L9/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种电容式压力传感器及其形成方法，其中，所述电容式压力传感器，包括基底，位于基底中且贯穿其厚度的刻蚀孔；覆盖所述基底和刻蚀孔的隔膜，并且刻蚀孔上方的部分隔膜向上凸起，向上凸起的隔膜与基底之间具有第三空腔，第三空腔和刻蚀孔构成第二空腔；位于凸起的隔膜两端上相对的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极之间具有第一空腔；位于基底的背面上的密封层，密封层密封第二空腔下端的开口。本发明的电容式压力传感器占据的基底表面的面积较小，提高了器件的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 压力传感器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种电容式压力传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底中形成刻蚀孔；在所述基底上形成第一牺牲层，所述第一牺牲层包括填充满刻蚀孔的第一部分和覆盖部分基底表面的第二部分，第一部分位于第二部分正下方；在所述第一牺牲层和基底上形成隔膜；在部分隔膜上形成第二牺牲层，且所述第二牺牲层位于第一牺牲层的第二部分上方；在所述第二牺牲层的两侧侧壁表面上形成相对的第一电极和第二电极，且所述第一电极和第二电极部分位于隔膜表面；去除所述第二牺牲层，在第一电极和第二电极之间形成第一空腔；平坦化或刻蚀所述基底的背面，直至暴露出刻蚀孔底部的第一牺牲层；去除所述第一牺牲层，在隔膜的底部形成第二空腔；在基底的背面上形成密封所述第二空腔的底部开口的密封层。
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