[发明专利]半导体器件以及形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201310381537.2 | 申请日： | 2013-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN104218083B | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | 让-皮埃尔·科林格;江国诚;张广兴;吴志强;王志豪;卡洛斯·H.·迪亚兹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应晶体管（FinFET）包括位于衬底之上的半导体层，其中，半导体层形成FinFET的沟道。第一硅锗氧化物层位于衬底之上，其中，第一硅锗氧化物层具有第一锗百分比。第二硅锗氧化物层位于第一硅锗氧化物层之上。第二硅锗氧化物层具有高于第一锗百分比的第二锗百分比。栅极介电层位于半导体层的侧壁和顶面上。栅电极位于栅极介电层之上。本发明还提供了一种调整半导体器件中的应变。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；以及鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括：位于所述衬底之上的半导体层，所述半导体层形成所述FinFET的沟道；位于所述衬底之上的第一硅锗氧化物层，所述第一硅锗氧化物层具有第一锗百分比；位于所述第一硅锗氧化物层之上的第二硅锗氧化物层，所述第二硅锗氧化物层具有高于所述第一锗百分比的第二锗百分比；位于所述半导体层的侧壁和顶面上的栅极介电层；和位于所述栅极介电层之上的栅电极。
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