[发明专利]相变存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 201310365805.1 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104425710B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 张翼英 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种相变存储器及其形成方法，其中，相变存储器的形成方法包括提供衬底，所述衬底表面具有第一介质层，所述第一介质层内具有第一电极层，所述第一电极层的表面与第一介质层的表面齐平；在所述第一介质层和第一电极层表面形成第二介质层，所述第二介质层内具有暴露出第一电极层表面的开口；进行顶角处理工艺，使所述开口侧壁与所述第二介质层顶部表面所构成的顶角形成圆角；在所述顶角处理工艺之后，在所述开口内形成填充满所述开口的第二电极层，所述第二电极层的表面与第二介质层的表面齐平；在所述第二电极层表面形成相变层。采用上述方法所形成的相变存储器性能得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有第一介质层，所述第一介质层内具有第一电极层，所述第一电极层的表面与第一介质层的表面齐平；在所述第一介质层和第一电极层表面形成第二介质层，所述第二介质层内具有暴露出第一电极层表面的开口；进行顶角处理工艺，使所述开口侧壁与所述第二介质层顶部表面所构成的顶角形成圆角；在所述顶角处理工艺之后，在所述开口内形成填充满所述开口的第二电极层；在所述第二电极层表面形成相变层。
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