[发明专利]反相器的形成方法及反相器

摘要

一种反相器的形成方法及反相器，其中，反相器的形成方法包括提供衬底，衬底包括P型有源区和N型有源区；形成位于P型有源区的第一鳍部和位于N型有源区的第二鳍部,第一鳍部具有第一宽度，第二鳍部具有第二宽度，第一宽度等于第二宽度；在P型有源区形成第一绝缘层，在N型有源区形成第二绝缘层，第二绝缘层的厚度大于等于0且小于第二鳍部的高度，第一绝缘层的厚度小于第一鳍部的高度且大于第二绝缘层的厚度。第一鳍部的第一宽度等于第二鳍部的第二宽度，这样，第一鳍部和第二鳍部所占用的衬底的表面积相同，反相器也就不会占据较多表面积。

主权项

一种SRAM存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括P型有源区和N型有源区；形成位于所述P型有源区的第一鳍部和位于N型有源区的第二鳍部,所述第一鳍部具有第一宽度，所述第二鳍部具有第二宽度，所述第一宽度等于第二宽度；在所述P型有源区形成第一绝缘层，所述第一鳍部的侧壁与第一绝缘层接触，在所述N型有源区形成第二绝缘层，所述第二鳍部的侧壁与第二绝缘层接触，所述第二绝缘层的厚度大于等于0且小于第二鳍部的高度，所述第一绝缘层的厚度小于第一鳍部的高度且大于第二绝缘层的厚度；形成横跨第一鳍部和第二鳍部的栅极；在栅极两侧的第一鳍部中形成P型鳍式场效应晶体管的第一源极和第一漏极；栅极两侧第二鳍部中形成N型鳍式场效应晶体管的第二源极和第二漏极；将第一漏极与第二漏极电连接。