[发明专利]反相器的形成方法及反相器

权利要求书

1.一种SRAM存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括P型有源区和N型有源区；

形成位于所述P型有源区的第一鳍部和位于N型有源区的第二鳍部,所述第一鳍部具有第一宽度，所述第二鳍部具有第二宽度，所述第一宽度等于第二宽度；

在所述P型有源区形成第一绝缘层，所述第一鳍部的侧壁与第一绝缘层接触，在所述N型有源区形成第二绝缘层，所述第二鳍部的侧壁与第二绝缘层接触，所述第二绝缘层的厚度大于等于0且小于第二鳍部的高度，所述第一绝缘层的厚度小于第一鳍部的高度且大于第二绝缘层的厚度；

形成横跨第一鳍部和第二鳍部的栅极；

在栅极两侧的第一鳍部中形成P型鳍式场效应晶体管的第一源极和第一漏极；

栅极两侧第二鳍部中形成N型鳍式场效应晶体管的第二源极和第二漏极；

将第一漏极与第二漏极电连接。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一鳍部的高度等于第二鳍部的高度。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一绝缘层和第二绝缘层的方法包括：

在所述衬底上形成绝缘材料层，所述绝缘材料层覆盖衬底、第一鳍部和第二鳍部，所述衬底上的绝缘材料层的厚度小于第一鳍部、第二鳍部的高度；

刻蚀N型有源区的绝缘材料层，在第二鳍部侧壁形成第二侧墙，所述第二侧墙的高度小于第二鳍部的高度；

回刻蚀所述绝缘材料层和所述第二侧墙，在第一鳍部侧壁形成第一侧墙，所述第一侧墙的高度小于第一鳍部的高度，所述第一侧墙作为第一绝缘层，回刻蚀第二侧墙后形成第三侧墙，所述第三侧墙的高度大于等于0，小于第一侧墙的高度，所述第三侧墙作为第二绝缘层。

4.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一绝缘层和第二绝缘层的方法包括：

在所述衬底上形成绝缘材料层，所述绝缘材料层覆盖衬底、第一鳍部和第二鳍部，所述衬底上的绝缘材料层的厚度小于第一鳍部、第二鳍部的高度；

回刻蚀所述绝缘材料层，在第一鳍部侧壁形成第一侧墙和在第二鳍部侧壁形成第二侧墙，所述第一侧墙的高度小于第一鳍部的高度，所述第二侧墙的高度小于第二鳍部的高度，所述第一侧墙作为所述第一绝缘层；

刻蚀所述第二侧墙，形成第三侧墙，所述第三侧墙的高度小于第一侧墙的高度，大于等于0，所述第三侧墙作为第二绝缘层。

5.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，刻蚀N型有源区的绝缘材料层的方法包括：

在所述绝缘材料层上形成底部抗反射层，所述底部抗反射层上表面至衬底上表面的高度，大于等于第一鳍部上的绝缘材料层上表面至衬底上表面的高度；

在所述底部抗反射层上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层定义N型有源区的位置；

以所述图形化的光刻胶层为掩模刻蚀底部抗反射层和所述绝缘材料层；

去除图形化的光刻胶层和剩余的底部抗反射层。

6.如权利要求3或4所述的形成方法，其特征在于，在所述第一鳍部和第二鳍部上形成有硬掩模层。

7.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一绝缘层和第二绝缘层的方法包括：

在所述衬底上形成绝缘材料层，所述衬底上的绝缘材料层厚度大于等于第一鳍部的高度；

回刻蚀所述绝缘材料层，暴露部分高度第一鳍部、第二鳍部，剩余绝缘材料层上表面与衬底上表面平行，第一鳍部、第二鳍部的高度大于周围剩余绝缘材料层的厚度，所述P型有源区的剩余绝缘材料层作为第一绝缘层；

刻蚀去除N型有源区部分厚度或全部厚度的剩余绝缘材料层，N型有源区的剩余绝缘材料层作为第二绝缘层。

8.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一绝缘层和第二绝缘层的方法包括：

在所述衬底上形成绝缘材料层，所述衬底上的绝缘材料层厚度大于等于第一鳍部的高度；

刻蚀去除N型有源区部分厚度的绝缘材料层，暴露部分高度的第二鳍部，N型有源区的剩余绝缘材料层上表面与衬底上表面平行；

回刻蚀P型有源区的绝缘材料层和N型有源区的剩余绝缘材料层，至暴露部分高度的第一鳍部，P型有源区的剩余绝缘材料层作为第一绝缘层，第一绝缘层上表面与衬底上表面平行，低于第一鳍部上表面，N型有源区的剩余绝缘材料层作为第二绝缘层，第二绝缘层的厚度大于等于0，小于第一绝缘层的厚度。