[发明专利]图案的形成方法在审
| 申请号： | 201310365626.8 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104425220A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 王冬江;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种图案的形成方法，包括：提供待刻蚀层，待刻蚀层分为第一区和第二区；在待刻蚀层上形成位于第一区的第一牺牲线、位于第二区的第二牺牲线，在第一牺牲线和第二牺牲线上形成硬掩模层；在第一牺牲线和第一牺牲线上的硬掩模层侧壁、第二牺牲线和第二牺牲线上的硬掩模层侧壁形成侧墙；刻蚀去除第一牺牲线上的硬掩模层和第一牺牲线；在刻蚀去除第一牺牲线上的硬掩模层和第一牺牲线后，以侧墙、第二牺牲线上的硬掩模层、第二牺牲线为掩模刻蚀待刻蚀层，位于第一区的侧墙下的剩余待刻蚀层作为第一线，位于第二区的侧墙下和侧墙之间的剩余待刻蚀层作为第二线。本发明的具有较小线宽的第一线和具有较大线宽的第二线均具有较精细的形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种图案的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层分为第一区和第二区；在所述待刻蚀层上形成位于第一区的第一牺牲线、位于第二区的第二牺牲线，在所述第一牺牲线和第二牺牲线上形成有硬掩模层；在所述第一牺牲线和第一牺牲线上的硬掩模层侧壁、所述第二牺牲线和第二牺牲线上的硬掩模层侧壁形成侧墙；刻蚀去除所述第一牺牲线上的硬掩模层和第一牺牲线；在刻蚀去除所述第一牺牲线上的硬掩模层和第一牺牲线后，以所述侧墙、第二牺牲线上的硬掩模层、第二牺牲线为掩模刻蚀所述待刻蚀层，位于所述第一区的侧墙下的剩余待刻蚀层作为第一线，位于所述第二区的侧墙下和侧墙之间的剩余待刻蚀层作为第二线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
