[发明专利]图案的形成方法

权利要求书

1.一种图案的形成方法，其特征在于，包括：

提供待刻蚀层，所述待刻蚀层分为第一区和第二区；

在所述待刻蚀层上形成位于第一区的第一牺牲线、位于第二区的第二牺牲线，在所述第一牺牲线和第二牺牲线上形成有硬掩模层；

在所述第一牺牲线和第一牺牲线上的硬掩模层侧壁、所述第二牺牲线和第二牺牲线上的硬掩模层侧壁形成侧墙；

刻蚀去除所述第一牺牲线上的硬掩模层和第一牺牲线；

在刻蚀去除所述第一牺牲线上的硬掩模层和第一牺牲线后，以所述侧墙、第二牺牲线上的硬掩模层、第二牺牲线为掩模刻蚀所述待刻蚀层，位于所述第一区的侧墙下的剩余待刻蚀层作为第一线，位于所述第二区的侧墙下和侧墙之间的剩余待刻蚀层作为第二线。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，刻蚀去除所述第一牺牲线上的硬掩模层和第一牺牲线的方法包括：

在所述待刻蚀层上形成填充材料层，所述待刻蚀层上的填充材料层上表面高于硬掩模层上表面，或所述待刻蚀层上的填充材料层上表面与硬掩模层上表面持平；

在所述填充材料层上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层定义第一区的位置；

以所述图形化的光刻胶层为掩模，进行第一刻蚀，刻蚀所述填充材料层、刻蚀去除第一牺牲线上的硬掩模层；进行第二刻蚀，刻蚀去除第一牺牲线；

去除图形化的光刻胶层和剩余的填充材料层。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，刻蚀所述填充材料层、刻蚀去除第一牺牲线上的硬掩模层的方法为干法刻蚀。

4.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，刻蚀去除所述第一牺牲线的方法为干法刻蚀或湿法刻蚀。

5.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，在刻蚀去除第一牺牲线上的

硬掩模层时，还刻蚀去除第一区中高出所述第一牺牲线的侧墙部分。

6.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述填充材料层为底部抗反射层。

7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，去除图形化的光刻胶层、剩余的填充材料层的方法包括：

使用灰化工艺去除图形化的光刻胶层和剩余的填充材料层；

使用湿法刻蚀去除在灰化工艺中产生的聚合物。

8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲线、第二牺牲线的材料为多晶硅或无定形碳。

9.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一牺牲线、第二牺牲线和硬掩模层的方法包括：

在所述待刻蚀层上沉积牺牲材料层，在所述牺牲材料层上形成硬掩模材料层；

在所述硬掩模材料层上形成图形化的光刻胶层，图形化的光刻胶层定义第一牺牲线和第二牺牲线的位置；

以所述图形化的光刻胶层为掩模，刻蚀硬掩模材料层形成硬掩模层，刻蚀牺牲材料层形成第一牺牲线、第二牺牲线；

去除图形化的光刻胶层。

10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述硬掩模层的材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或底部抗反射材料。

11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料为氮化硅或氧化硅。

12.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，形成所述侧墙的方法包括：

在所述待刻蚀层上形成侧墙材料层，所述侧墙材料层覆盖硬掩模层、第一牺牲线和第二牺牲线；

回刻蚀所述侧墙材料层，在所述第一牺牲线和第一牺牲线上的硬掩模层侧壁、所述第二牺牲线和第二牺牲线上的硬掩模层侧壁的剩余侧墙材料层作为侧墙。

13.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在刻蚀所述待刻蚀层时，还刻蚀部分厚度或全部厚度的第二牺牲线。

14.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，还包括：去除所述侧墙。

15.如权利要求1～14任一项所述的形成方法，其特征在于，所述第一线为存储器核心存储电路的晶体管的栅极或鳍部，所述第二线为存储器外围电路的晶体管的栅极或鳍部。