[发明专利]一种MOS晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201310365604.1 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104425590A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 王海强;汪铭 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/08;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种MOS晶体管及其制造方法。所述MOS晶体管的栅极嵌于所述半导体衬底的阱区内，MOS晶体管的源漏极分别位于MOS晶体管的相对两端。上述结构在向MOS晶体管施加源漏电压后，源漏极之间载流子围绕MOS晶体管栅极迁移，与现有位于阱区上方的栅极结构的MOS晶体管相比，在MOS晶体管在半导体衬底上占用相同面积的条件下，上述技术方案可有效提高MOS晶体管的电流密度，并有效避免短沟道效应，从而提高MOS晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管，其特征在于，包括：在半导体衬底内的阱区；嵌于阱区内的栅极；位于所述阱区内，且位于所述栅极两侧的源极和漏极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310365604.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件及其制造方法
- 下一篇：半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
