[发明专利]射频LDMOS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种射频LDMOS器件，在多晶硅栅的顶部表面形成的第一金属硅化物层的厚度大于在源漏区表面形成的第二金属硅化物层的厚度，第一金属硅化物层和第二金属硅化物层都由形成有硅表面的钛和氮化钛经快速热退火后形成。本发明还公开了一种射频LDMOS器件的制造方法。本发明通过第一金属硅化层的加厚能降低栅极的电阻，容易保证栅极低电阻；第二金属硅化物层的厚度不会随着第一金属硅化层的厚度的增加而增加，能通过降低第二金属硅化物层的厚度来降低第二金属硅化物层对源区和漏区的第二导电类型重掺杂区的消耗，使射频LDMOS器件的反向击穿电压稳定，从而能整体提高器件的击穿电压、提高器件的可靠性。

主权项

一种射频LDMOS器件，其特征在于，包括：第一导电类型重掺杂的硅衬底；第一导电类型掺杂的硅外延层，该硅外延层形成于所述硅衬底表面上；漂移区，由形成于所述硅外延层的选定区域中的第二导电类型离子注入区组成，所述漂移区的顶部表面和所述硅外延层的顶部表面相平、所述漂移区的深度小于所述硅外延层的厚度；沟道区，由形成于所述硅外延层的选定区域中的第一导电类型离子注入区组成，所述沟道区的顶部表面和所述硅外延层的顶部表面相平、所述沟道区的深度小于所述硅外延层的厚度；所述沟道区和所述漂移区在横向上直接接触，或者所述沟道区和所述漂移区在横向上通过所述硅外延层相连接；多晶硅栅，形成于所述硅外延层上方，所述多晶硅栅和所述硅外延层间隔离有栅介质层，所述多晶硅栅覆盖部分所述沟道区并延伸到所述漂移区上方，被所述多晶硅栅覆盖的所述沟道区表面用于形成沟道；源区，由形成于所述沟道区中的第二导电类型重掺杂区组成，所述源区和所述多晶硅栅的第一侧自对准；漏区，由形成于所述漂移区中的第二导电类型重掺杂区组成，所述漏区和所述多晶硅栅的第二侧相隔一横向距离；在所述多晶硅栅的顶部表面形成有第一金属硅化物层，在所述源区和所述漏区表面都形成有第二金属硅化物层，所述第一金属硅化物层和所述第二金属硅化物层都由形成有硅表面的钛和氮化钛经快速热退火后形成，所述第一金属硅化物层的厚度大于所述第二金属硅化物层的厚度，通过增加所述第一金属硅化物层的厚度降低所述多晶硅栅的寄生电阻；通过降低所述第二金属硅化物层的厚度来降低所述第二金属硅化物层对所述源区和所述漏区的第二导电类型重掺杂区的消耗，使射频LDMOS器件的反向击穿电压稳定；所述第一金属硅化物层由300埃的第一钛层加300埃的第二钛和氮化钛层经快速热退火后形成；所述第二金属硅化物层由300埃的第二钛和氮化钛层经快速热退火后形成。