[发明专利]锗硅异质结双极型晶体管制造方法

摘要

本发明公开了一种锗硅异质结双极型晶体管制造方法，是在牺牲介质层淀积和基区窗口打开后，形成一个侧墙并进行高剂量的离子注入，它可以和从重掺杂的基区多晶硅扩散到有源区的较浅的外基区重掺杂一起形成分级的外基区掺杂区。在发射极窗口形成后，进行小剂量低能量的选择性集电区离子注入。由于上面的两次离子注入都是自对准进行的，在分别降低外基区电阻和集电区电阻的同时，可以控制基区‑集电区电容为最低，这样可极大地提高器件的射频特性，如特征频率、功率增益等，工艺流程简单易于实施。

主权项

一种锗硅异质结双极型晶体管制造方法，其特征在于：包含如下工艺步骤：第1步，在轻掺杂P型衬底上形成N型埋层，再生长N型外延区；在外延区内形成浅槽隔离，用N型离子注入在集电极的引出端形成低电阻下沉通道；第2步，在基区有源区的中心离子注入形成选择性集电区，再用低温外延生长锗硅层，光刻和干刻去除基区以外的锗硅层，形成内外锗硅基区；第3步，淀积介质叠层，光刻和刻蚀打开外基区；第4步，淀积介质并回刻，形成侧墙；第5步，利用自对准外基区窗口进行P型离子注入形成重掺杂外基区；第6步，湿法去除侧墙后，淀积外基区多晶硅；第7步，回刻外基区多晶硅，再进行离子注入形成重掺杂的外基区多晶硅；第8步，淀积氧化硅介质层并进行化学机械研磨平坦化；第9步，以外基区上的氧化硅介质层作为阻挡层，进行多晶硅干法刻蚀，并用湿法去除外延上的氧化硅层，外基区多晶硅上的氧化硅层保留；第10步，淀积氧化硅‑氮化硅‑氧化硅叠层，回刻形成侧墙，利用光刻胶打开窗口，进行自对准发射极窗口的选择性集电区离子注入；第11步，湿法去除侧墙外部及底部的氧化硅层，淀积发射极多晶硅；第12步，光刻及刻蚀形成发射极，再淀积介质层，快速热退火后回刻介质层形成侧墙。