[发明专利]鳍式场效应晶体管结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种鳍式场效应晶体管结构及其制作方法，所述鳍式场效应晶体管结构包括衬底，所述衬底中凹设形成有分立的第一栅极及第二栅极；第二栅介质层，为条状并覆盖所述第一栅极与第二栅极；所述第二栅介质层中间区域上形成有第二栅极材料层，所述第二栅极材料层及其下方的第二栅介质层构成第三栅极；一对侧墙，形成于所述第二栅介质层纵向相对的两侧壁上，所述侧墙两侧的衬底中分别形成有源极区域和漏极区域。本发明的鳍式场效应晶体管结构具有三个独立的栅极，可以分别在三个栅极上加不同的电压对沟道进行控制，操作更灵活，可获得更大的电流及更快的响应速度，有效提升晶体管结构的性能；且沟道位于衬底中，降低了工艺难度并节约成本。

主权项

一种鳍式场效应晶体管结构的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：S1：提供一衬底，在所述衬底中凹设形成分立的第一栅极及第二栅极；所述第一栅极及第二栅极均包括第一栅极材料层及包围所述第一栅极材料层侧壁和底部的第一栅介质层；所述第一栅极及第二栅极上表面与所述衬底上表面齐平；S2：在所述衬底上形成一覆盖所述第一栅极与第二栅极的条状结构；所述条形结构自下而上依次包括第二栅介质层及第二栅极材料层；S3：在所述条状结构纵向相对的两个侧面上分别形成一侧墙；然后在一对侧墙两侧的衬底中分别形成源极区域和漏极区域；S4：刻蚀所述条形结构两端直至露出部分第二栅介质层上表面；刻蚀之后剩余的第二栅极材料层及其下方的第二栅介质层构成第三栅极；S5：在步骤S4获得的结构上形成绝缘层并进行抛光直至所述绝缘层上表面与所述第三栅极上表面齐平；分别在所述第一栅极、第二栅极、源极区域及漏极区域上方形成接触孔。