[发明专利]成长高可靠性IGBT金属连接的方法有效
| 申请号： | 201310359631.8 | 申请日： | 2013-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN104377130B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 李琳松 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种成长高可靠性IGBT金属连接的方法，包括1）刻蚀硅衬底，形成沟槽；2）成长栅极氧化层，沉积多晶硅，形成IGBT沟槽型栅极；3）在栅极氧化层和多晶硅表面上，沉积层间介质层；4）在层间介质层表面上，通过光刻完成金属连接层槽的形成；5）湿法刻蚀层间介质层，使层间介质层形成一具有斜度的界面；6）干法刻蚀层间介质层和栅极氧化层，直至接触到硅衬底，完成金属连接层槽的刻蚀；7）对层间介质层进行退火回流，形成金属连接层结构。本发明能避免后续IGBT器件在工作环境容易积聚的尖端电荷导致的可靠性风险，确保了IGBT器件的工作稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 成长 可靠性 igbt 金属 连接 方法 | ||
【主权项】：
一种成长IGBT金属连接的方法，其特征在于，包括步骤：1）刻蚀硅衬底，形成沟槽；2）在沟槽侧壁和底部以及硅衬底表面成长栅极氧化层，并在栅极氧化层表面沉积多晶硅，填充满沟槽，并经栅极刻蚀，形成IGBT沟槽型栅极；3）在栅极氧化层和多晶硅表面上，沉积层间介质层；4）在层间介质层表面上，通过光刻工艺，完成金属连接层槽的形成；5）湿法刻蚀层间介质层，使层间介质层形成一具有斜度的界面，且该具有斜度的界面的顶部直至沟槽顶部的凹陷口处；6）干法刻蚀层间介质层和栅极氧化层，直至接触到硅衬底，完成金属连接层槽的刻蚀；7）对层间介质层进行退火回流，形成界面圆滑的金属连接层结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
