[发明专利]包括多个静态随机访问存储器单元的装置及其操作方法有效
| 申请号： | 201310358972.3 | 申请日： | 2013-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN103594111A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | M·奥托;N·陈 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及包括多个静态随机访问存储器单元的装置及其操作方法，揭露的一种方法包括向一个或多个静态随机访问存储器（SRAM）单元写入数据。向该一个或多个SRAM单元写入数据包括：向电性连接该一个或多个SRAM存储器单元的至少一位线施加第一数据信号，电性断开各该一个或多个SRAM单元的第一电源供应端子及第二电源供应端子的至少其中一者与电源供应，以及向电性连接该一个或多个SRAM单元的字线施加字线信号。接着，电性连接各该一个或多个SRAM单元的该第一电源供应端子及该第二电源供应端子的该至少其中一者与该电源。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 静态 随机 访问 存储器 单元 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：向一个或多个静态随机访问存储器（SRAM）单元写入数据，其中，向该一个或多个SRAM单元写入数据包括向电性连接该一个或多个SRAM存储器单元的至少一位线施加数据信号，电性断开各该一个或多个SRAM单元的第一电源供应端子及第二电源供应端子的至少其中一者与电源供应，以及向电性连接该一个或多个SRAM单元的字线施加字线信号；以及接着，电性连接各该一个或多个SRAM单元的该第一电源供应端子及该第二电源供应端子的该至少其中一者与该电源。
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