[发明专利]包括多个静态随机访问存储器单元的装置及其操作方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

向一个或多个静态随机访问存储器（SRAM）单元写入数据，其中，向该一个或多个SRAM单元写入数据包括向电性连接该一个或多个SRAM存储器单元的至少一位线施加数据信号，电性断开各该一个或多个SRAM单元的第一电源供应端子及第二电源供应端子的至少其中一者与电源供应，以及向电性连接该一个或多个SRAM单元的字线施加字线信号；以及

接着，电性连接各该一个或多个SRAM单元的该第一电源供应端子及该第二电源供应端子的该至少其中一者与该电源。

2.如权利要求1所述的方法，其中，电性断开各该一个或多个SRAM单元的该第一电源供应端子及该第二电源供应端子的该至少其中一者与该电源供应以及向该字线施加该字线信号基本同时执行。

3.如权利要求2所述的方法，其中，向该字线提供该字线信号至少直至各该一个或多个SRAM单元的该第一电源供应端子及该第二电源供应端子的该至少其中一者电性连接该电源。

4.如权利要求1所述的方法，其中，在电性断开各该一个或多个SRAM单元的该第一电源供应端子及该第二电源供应端子的该至少其中一者与该电源供应后向该字线施加该字线信号。

5.如权利要求4所述的方法，其中，向该字线提供该字线信号持续一时间间隔，以及其中，在该时间间隔结束前电性连接各该一个或多个SRAM单元的该第一电源供应端子及该第二电源供应端子的该至少其中一者与该电源。

6.如权利要求1所述的方法，其中，在电性断开各该一个或多个SRAM单元的该第一电源供应端子及该第二电源供应端子的该至少其中一者与该电源供应之前向该至少一位线施加该数据信号。

7.如权利要求6所述的方法，其中，向该至少一位线提供该数据信号至少直至各该一个或多个SRAM单元的该第一电源供应端子及该第二电源供应端子的该至少其中一者电性连接该电源。

8.如权利要求1所述的方法，其中，向该一个或多个SRAM单元写入数据包括：

向电性连接该一个或多个SRAM单元的至少一逆位线施加逆数据信号，该数据信号及该逆数据信号基本同时施加。

9.如权利要求8所述的方法，进一步包括自该一个或多个SRAM单元读取数据，其中，自该一个或多个SRAM单元读取数据包括：

对该至少一位线及该至少一逆位线预充电；

向电性连接该一个或多个SRAM单元的该字线施加字线信号；以及

针对各该一个或多个SRAM单元，感测电性连接该SRAM单元的该至少一位线的其中一者与电性连接该SRAM单元的该至少一逆位线的其中一者之间的电压差；

其中，在读取该数据时，各该一个或多个SRAM单元的该第一电源供应端子以及该第二电源供应端子保持电性连接该电源。

10.如权利要求1所述的方法，其中，各SRAM单元为六晶体管SRAM单元。

11.一种装置，包括：

多个位线；

多个字线；

多个静态随机访问存储器（SRAM）单元，各SRAM单元电性连接该些位线的其中一者以及该些字线的其中一者，各SRAM单元具有第一电源供应端子以及第二电源供应端子；

多个第一开关装置，各第一开关装置电性连接于该些SRAM单元的至少其中一者的该第一电源供应端子与电源之间；以及

数据写入电路，用以向电性连接该些SRAM单元的该至少其中一者的各位线施加数据信号，操作该些第一开关装置的至少其中一者以电性断开该多个SRAM单元的至少其中一者的该第一电源供应端子与该电源，以及向电性连接该些SRAM单元的该至少其中一者的字线施加字线信号。

12.如权利要求11所述的装置，进一步包括：

多个第二开关装置，其中，各第二开关装置电性连接于该些SRAM单元的该至少其中一者的该第二电源供应端子与该电源之间。

13.如权利要求11所述的装置，其中，该多个SRAM单元包括SRAM单元阵列，该SRAM单元阵列包括多个行，各行包括两个或更多SRAM单元，各字线与该些行的其中一者关联，各SRAM单元电性连接与设置该SRAM单元的该行关联的该字线。