[发明专利]等离子体处理装置及氦气管

摘要

本发明涉及一种等离子体处理装置，包括一连接盘，位于反应腔室下部，其包括第一气体通道；一静电卡盘，设置于连接盘之上，其包括第二气体通道和一直流电极；一氦气管，其一端外接一氦气源，另一端自反应腔室底面伸入与连接盘底面连接，并与第一气体通道连通，用于向静电卡盘与晶圆之间通入氦气；一下电极，设置于连接盘之中，其外接一射频电源；其中，氦气管至少在位于反应腔室底面与连接盘底面之间的一部内设有多个支管，支管沿氦气管长度方向延伸。其使氦气管中的氦气不会在射频功率的作用下电离成等离子体，进而不会腐蚀氦气管，提高了氦气管使用寿命，增加了等离子体处理装置的稳定性，并避免了对晶圆的污染。

主权项

一种等离子体处理装置，用于对放置于反应腔室中的晶圆进行等离子体处理工艺，包括：一连接盘，位于所述反应腔室下部，其包括第一气体通道，所述第一气体通道自所述连接盘底部贯穿至顶部；一静电卡盘，设置于所述连接盘之上，其包括第二气体通道和一直流电极，所述第二气体通道自所述静电卡盘底部贯穿至顶部并与所述第一气体通道连通，所述直流电极外接一直流电源将所述晶圆吸附于所述静电卡盘上表面；一氦气管，其一端外接一氦气源，另一端自所述反应腔室底面伸入与所述连接盘底面连接，并与所述第一气体通道连通，用于向所述静电卡盘与晶圆之间通入氦气；一下电极，设置于所述连接盘之中，其外接一射频电源，用于向所述反应腔室施加射频功率；其中，所述氦气管至少在位于所述反应腔室底面与连接盘底面之间的一部内设有多个支管，所述支管沿所述氦气管长度方向延伸；连接件，位于连接盘底面，所述氦气管通过该连接件与连接盘底面密接；连接件内具有第一腔体和套入第一腔体内的第二腔体，第二腔体的截面呈双层堆叠梯形；第二腔体的底部与氦气管连通，第二腔体的顶部与第一气体通道连通，使得流入支管的氦气从而第二腔体底部进入第二腔体内部，并且经第二腔体顶部流入第一气体通道，再经第二气体通道流到静电吸盘和晶圆之间。