[发明专利]一种基板的全距调控方法和装置有效

专利信息
申请号: 201310355960.5 申请日: 2013-08-15
公开(公告)号: CN103499902A 公开(公告)日: 2014-01-08
发明(设计)人: 罗丽平;许朝钦;贠向南;金基用;周子卿;孔令燚 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: G02F1/1339 分类号: G02F1/1339;G02F1/1333
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王莹
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种基板的全距调控方法,包括:根据已完成全部曝光工艺的基板样本的实际全距值,与该基板的期望全距值,获得基板样本的全距变化值;根据全距变化值,对待曝光基板的第一层曝光工艺中的第一层全距初始基准坐标进行调整,得到待曝光基板的第一层全距调整后基准坐标;利用第一层全距调整后基准坐标对待曝光基板进行第一层曝光工艺。上述方法根据基板实际全距值与期望全距值得到的全距变化值,在第一层曝光过程中根据全距变化值对待曝光基板的全距初始基准坐标进行调整,便可实现最终全距相对于热制程等工艺参数变更前无明显变化,或变化量极其微小,采用简单易行的操作实现在液晶盒对盒工艺过程中阵列基板与彩膜基板对盒的精准性。
搜索关键词: 一种 调控 方法 装置
【主权项】:
一种基板的全距调控方法,其特征在于,所述方法包括:S1、根据已完成全部曝光工艺的基板样本的实际全距值,与该基板的期望全距值,获得所述基板样本的全距变化值;S2、根据所述全距变化值,对待曝光基板的第一层曝光工艺中的第一层全距初始基准坐标进行调整,得到所述待曝光基板的第一层全距调整后基准坐标;S3、利用所述第一层全距调整后基准坐标对所述待曝光基板进行第一层曝光工艺。
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