[发明专利]一种基板的全距调控方法和装置

权利要求书

1.一种基板的全距调控方法，其特征在于，所述方法包括：

S1、根据已完成全部曝光工艺的基板样本的实际全距值，与该基板的期望全距值，获得所述基板样本的全距变化值；

S2、根据所述全距变化值，对待曝光基板的第一层曝光工艺中的第一层全距初始基准坐标进行调整，得到所述待曝光基板的第一层全距调整后基准坐标；

S3、利用所述第一层全距调整后基准坐标对所述待曝光基板进行第一层曝光工艺。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

S4、将完成所述第一次曝光工艺的基板的实际全距值，与该基板的期望全距值进行比较，获得全距误差值；如果所述全距误差值小于等于预设全距误差阈值，则将所述第一层全距调整后基准坐标作为所述待曝光基板的第一层曝光工艺的标准全距基准坐标，如果所述全距误差值大于所述预设全距误差阈值，则进行步骤S5；

S5、将所述全距误差值作为S2中所述的全距变化值，将所述第一层全距调整后基准坐标作为S2中所述的第一层全距初始基准坐标，进行步骤S2，获得新的第一层全距调整后基准坐标。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述全距误差值大于所述预设全距误差阈值的情况中，在进行步骤S3之前，如果待曝光的基板上有之前曝光工艺所剩余的光刻胶，则所述方法还包括对该剩余的光刻胶进行去除并重新形成一层光刻胶的步骤。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述全距误差值为±3μm。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述全距变化值通过以下方式获得：

获得所述基板样本上的至少一个检测点的实际全距值以及所述检测点的期望全距值，根据全距变化值最大的检测点的全距变化值获得所述基板样本的全距变化值。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述全距变化值有多个，分别对应所述基板样本上的多个检测点；以及，

在S2中，是针对至少一个检测点，根据该检测点的全距变化值对该检测点处对应的第一层全距初始基准坐标进行调整。

7.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述全距误差值通过以下方式获得：

获得所述完成所述第一次曝光工艺的基板上的多个检测点的实际全距值以及这些检测点的期望全距值，将全距误差值最大的检测点的全距误差值作为所述完成所述第一次曝光工艺的基板的全距误差值。

8.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述全距误差值有多个，分别对应所述基板样本上的多个检测点；以及，

在S5中，是针对至少一个检测点，根据该检测点的全距误差值对该检测点处对应的第一层全距初始基准坐标进行调整。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述全距变化值为所述实际全距值与所述期望全距值得到的差值。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述对待曝光基板的第一层曝光工艺中的第一层全距初始基准坐标进行调整具体包括：在所述第一层全距初始基准坐标上加或减所述差值。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述全距变化值为所述实际全距值减去所述期望全距值得到的差值除以所述实际全距值得到的比值。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述S2中对待曝光基板的第一层曝光工艺中的第一层全距初始基准坐标进行调整具体包括：根据所述比值和所述第一层全距初始基准坐标得到调整量，再用所述第一层全距初始基准坐标加或减所述调整量。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述S2中对第一层全距初始基准坐标进行调整通过以下至少一种方式实现：调整曝光机的位置、改变曝光机中光源的布局、改变曝光机中光源的位置、改变曝光机中光源的角度、改变曝光机中光源的正交度、改变曝光机中光源的旋转量。